曾一平

  • 曾一平
    """研究员,博士生导师。现任半导体研究所材料科学中心主任和所学术委员会主任,兼任中科院半导体照明研发中心副主任,中国有色金属学会半导体材料委员会副主任委员,单片集成电路与模块国家重点实验室客座教授,《稀有金属》期刊编委。1983年毕业于中国科学技术大学。长期从事分子束外延(MBE)化合物半导体微结构材料、新型器件和电路的研究工作。“八五”期间在国内首次研制出室温连续激射的AlGaAs/GaAs量子阱激光器材料和具有室温光双稳性能的自电光效应器件材料;“九五”期间研制出具有正入射吸收的长波长量子点红外探测器和新型InAs/GaAs Hall器件;“十五”期间研制出最高质量的InP HEMT结构材料,并与器件研制单位合作研制出了振荡频率达150GHz的InP基HEMT器件,完成了分子束外延GaAs和InP基微结构材料的实用化生长技术。先后发表研究论文60余篇,获得国家科技进步二等奖两项、中国科学院科技进步一等奖两项、三等奖一项、“八五”科技攻关个人成果奖一项,2007年度中国材料研究学会科学技术进步二等奖1项。 """