杨少延

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    简历:

    杨少延,男,1973年5月12日生,籍贯黑龙江桦南县。中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师、超宽禁带半导体材料研究组组长。研究方向:(1)宽禁带和超宽禁带半导体材料、器件及工艺设备;(2)大失配异质外延衬底制备技术。重点开展GaN和AlN厚膜衬底材料的应力调控和材料制备技术研究;(3)新型半导体器件设计制备技术研究。重点开展垂直结构GaN电力电子器件、耐辐照全光谱太阳电池器件及超大功率微波器件研究。工作经历: 自1999年7月于吉林大学硕士毕业后,在中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室长期从事第三代宽禁带和超宽禁带半导体材料、器件及工艺设备研究与技术开发工作。先后承担和参与各类国家与地方科技发项目20多项(经费累计2100多万)。其中:国家重点研发计划子课题1项、国家863课题4项、国家973子课题4项、国家自然科学基金项目4项、九五攻关子课题1项,中国科学院仪器设备研制改造项目2项,院地合作研究项目1项,院地合作技术咨询项目1项。 发表学术论文100多篇,其中通讯作者论文30多篇;做国内会议邀请报告4次;申请中国发明专利50多项,已授权25项;培养博士研究生11人、培养硕士研究生8人。

    研究领域:

    (1)宽禁带和超宽禁带半导体低材料、器件及工艺设备;

    (2)大失配异质外延衬底制备技术研究。重点开展GaN和AlN厚膜衬底材料的应力调控和材料制备技术研究;

    (3)新型半导体器件设计制备技术研究。重点开展垂直结构GaN电力电子器件、耐辐照全光谱太阳电池器件及超大功率微波器件研究。