成步文

  • 成步文
  •       成步文,男,博士,研究员,博士生导师。 

      1989年在北京师范大学物理系获学士学位,1992年在北京师范大学低能核物理研究所获硕士学位,2006年在中国科学院半导体研究所获博士学位。1992年入中国科学院半导体研究所工作。他多年来一直致力于硅基光电子材料和器件的研究。近年先后主持完成了多项重要研究课题,取得的主要成果包括:主持研制出用于硅基异质材料生长的超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)系统,利用该设备系统研究了硅基Ⅳ族异质材料的生长机理和生长工艺,深入研究了自组装Ge量子点的动力学过程、形态演化规律及能带结构和光跃迁过程,研究了Si衬底上Ge材料生长的应变弛豫机理和控制,制备出了SiGe/Si量子阱材料、自组装Ge量子点、SiGe/Si HBT材料、SiGe/Si光晶体管材料、Si衬底上弛豫的厚Ge材料等;利用生长的材料研制出SiGe共振腔光电探测器、Ge量子点共振腔光电探测器、SiGe长波长光电探测器及阵列、硅基Ge发光二极管、SiGe/Si高速HBT等器件;在国内率先开展硅基GeSn材料外延和器件研究,研制的GeSn光电探测器性能处于国际领先水平。发表SCI收录论文140余篇,获得国家发明专利14项。 

      主要研究领域方向: 

      硅基光电子异质结构材料生长和器件研制 

      联系方式: 

      E-mail:cbw@semi.ac.cn, Tel: 010-82304762