杨涛

  • 杨涛
  •        杨涛,研究员,博士生导师, 中科院百人计划入选者。1997年于日本德岛大学毕业,获工学博士。博士毕业后,作为研究员或助理教授曾先后任职于日立公司中央研究所,新能源产业技术综合开发机构(NEDO)和东京大学。2006年,作为中科院“引进海外杰出人才”回国到半导体研究所工作,任研究员。2015年,兼任中国科学院大学(国科大)岗位教授。 

      主要从事半导体材料与器件研究,尤其在氮化物半导体新材料、低维纳米结构半导体量子点、量子阱和纳米线材料及器件应用等前沿领域取得多项创新性成果。代表性研究工作包括:1)建立了适于III族氮化物电子能带结构计算的紧束缚近似模型。该模型已被国际同行称作“标准的紧束缚近似模型”;2)理论上证明了V族立方相氮化物合金(InAsN)是直接带隙半导体材料并具有大的带隙弯曲参量,预言了此合金可被用作发展长波长信息功能器件的新材料;3)提出了“高温缓冲层”概念,用“三步生长法”取代“传统的两步生长法”在蓝宝石衬底上用MOCVD制备出高质量的GaN晶体;4)利用先进的MOCVD或MBE技术实现了高性能GaAs基和InP基量子点材料及器件:如,在国际上报道了最均匀的1.3微米波段InAs/GaAs自组织量子点材料(非均匀展宽<17 meV);快速退火能使长波长InAs/GaAs量子点产生大的波长蓝移现象,并阐明了产生这一现象的物理机理;通过引进退火,发明了显著改进InAs/GaAs量子点有源区性能的技术;证明了转换效率高达17%的InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池;证明了高性能1.55微米波段InAs/InP量子点材料及边发射激光器、宽带可调谐激光器和超短脉冲锁模激光器等等;5)实现了基于MOCVD的高性能2微米波段InP基量子阱激光器。 

      迄今,在重要的国际学术刊物上发表论文80余篇,发表国际学术会议论文60余篇和国内学术会议论文50余篇。申请国内外发明专利20项。曾获德岛大学国际交流研究奖(1997),NEDO Fellowship(2000),中科院“百人计划” (2007)。 

       

      目前主要研究方向: 

      1) 低维纳米结构半导体材料(量子阱、量子点和纳米线)MOCVDMBE生长及器件制备研究; 

      2) 新型半导体激光器、探测器和光放大器等器件研究; 

      3) 新型高效量子点中间能带太阳能电池研究; 

      4) 新型高效多节太阳能电池研究。 

        

       联系方式:Email: tyang@semi.ac.cn,电话: 10-82304529. 

      关于杨涛课题组详细介绍请参见网站:http://qdlab.semi.ac.cn/