王晓亮

  • 王晓亮
  •        王晓亮,男,博士,研究员,博士生导师。 

      1963年7月生。中科院半导体所研究员;中国科学院大学教授;西安交通大学“腾飞人才计划”特聘教授;中国电子学会理事;中国电子学会半导体与集成技术分会秘书长;中国能源学会第二届理事会理事;西安交通大学-中科院半导体所信息功能材料与器件联合实验室副主任、学术委员会委员;中国电子科技集团公司“砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防科技重点实验室”学术委员会委员;“电子物理与器件教育部重点实验室”学术委员会委员。 

      取得的重要科研成果及所获奖励: 

      长期从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体微电子、光电子材料和器件研究工作。主持国家重大科技专项、863重大项目、自然科学基金重大项目、973项目、中科院知识创新工程重要方向项目等多项国家重大课题的研究工作。1995年起在国内率先开展了GaN基微波功率器件结构材料的研究工作,通过自主创新,取得了重大突破,形成了系统的知识产权,取得了一批具有国内领先水平、国际先进水平的突出研究成果,一些成果达到国际领先水平。并基本建成GaN基微电子外延材料和器件研制平台,实现了外延材料的批量供片。用自主研制的GaN基微电子材料,先后合作研制出我国第一支GaN基HEMT器件、第一支GaN基X波段微波功率器件、第一块GaN基微波单片集成电路。用自主研制的MOCVD设备,研制出了3英寸GaN基微波功率器件材料,强有力地支撑了新一代核心电子器件和电路在我国的发展。2009年10月研制成功我国首台一次可生长7片2英寸(3片3英寸)GaN基外延材料的MOCVD工程化样机,该样机经验证具有很好的重复性、稳定性和可靠性,其综合性能与国外同类设备相当。所取得的MOCVD制造的关键专利技术在2012年以无形资产(2000万)投资到广东中科宏微半导体设备有限公司,促进了我国信息产业核心装备-MOCVD装备的自主创新发展和工程化产业化进程。2009年在国内率先研制出InGaN太阳能电池原型器件;2011年研制成功击穿电压超过1000V的GaN基二端和三端电力电子器件。 

      从九十年代至今在国内外主要学术刊物上发表研究论文140余篇;获得授权国家发明专利29项,实用新型专利1项;已培养并取得博士学位的研究生23名。2006年荣获中国科学院预先研究先进个人荣誉称号。2009年荣获工信部科学技术成果一等奖。2012年荣获“全国优秀科技工作者”荣誉称号。2012年荣获北京市科学技术奖二等奖。  

      研究领域及方向: 

      (1)宽禁带半导体材料和器件;(2)宽禁带半导体电力电子器件;(3)MOCVD设备研制;(4)高效太阳能电池;(5)半导体传感器。

          联系方式:

          E-mail:xlwang@semi.ac.cn;  电话:010-82304170