杨富华

  • 杨富华
  •         杨富华,男,博士,二级研究员,博士生导师。

      现任中科院半导体所副所长。南开大学物理系本科毕业,法国Paul Sabatier 大学脉冲强磁场国家实验室博士毕业。2010年获国务院专家特殊津贴;2005年起任中国科学院研究生院教授,讲授“半导体量子电子器件物理”;2010年起任南开大学兼职教授。2003年到现在任中国科学院半导体研究所半导体集成技术研究中心主任同时兼任超晶格国家重点实验室副主任。全国纳米技术学会分会常务理事,全国微纳米技术学会理事,中国仪器仪表学会微纳器件与系统技术分会理事。作为主要骨干获1994年科学院自然科学一等奖“半导体量子输运”。现主要从事微纳光、电、微机械器件及其集成研究,发表论文70余篇。 

      在国内研制成功高性能的共振隧穿二极管,对隧穿势垒的时间、磁声子辅助隧穿和不同能谷之间的电子隧穿进行了深入的物理研究。对量子阱和量子点平面微腔进行了深入的物理研究,首次研究了压力作用下量子阱平面微腔的激子光子相互作用,量子点平面微腔的模式分裂的物理起源。承担基金委课题,研制成功半导体光子存储原型器件, 负责973课题,完成了红外单光子探测系统的研制。承担并完成了863项目“基于共振隧穿二极管的多值量化器超高速集成电路”,解决了多项关键科学和技术问题,实现了GaAs基RTD/HEMT多值量化器集成电路工作频率大于1GHz, InP基RTD/HEMT多值量化器集成电路工作频率大于10GHz。承担并完成了973课题“基于半导体量子点的量子信息基础研究”;负责并完成了863重大项目半导体照明工程“130lm /W半导体白光照明集成技术研究”。 

      2002-2004负责集成技术中心的整体建设包括人员引进、大型设备的调研、选型以及其他配套设备的方案确定。2004年12月正式运转以来,与研究人员合作解决了许多半导体关键工艺技术,完成多项863任务,受到国家863专家组的好评。中心现有设备资产过亿元,组建了一支结构合理技术过硬的科研和技术队伍,实现了纳米电子学、光子学以及微电子机械结构的高精度技术加工,平台对研究所的发展及973、863、基金委等重大、重点项目发挥了关键技术支撑。 

      目前主要科研领域方向:

      微纳结构太阳能电池芯片及集成、宽禁带半导体大功率器件、纳米结构电子器件及集成,MEMS器件。 

      联系方式:

      E-mail:fhyang@semi.ac.cn  电话:010-82305100。 

      代表性论文:

      1. HL Wang, FH Yang, SL Feng, HJ Zhu, D Ning, H Wang, XD Wang, “Experimental determination of local Strain effect on InAs/GaAs self-organized quantum dots”,Phys. Rev. B 61, 5530 (2000)  

      2. HL Wang, FH Yang, SL Feng,“Photoluminescence in Si and Be directly doped self- organized InAs/GaAs quantum dots”, J. Crystal Growth 212, 35 (2000)  

      3. Y. Tang,H. Z. Zheng, F. H. Yang, P. H. Tan, C.F. Li and Y. X. Li “Electrical Manifestation of Quantum-Confined Stark Effect by Capacitance Response in an Optically Excited Quantum Well” PHYS REV B 63,11305(2001)

      4. Yan Tang, Houzhi Zheng, Fuhua Yang, Pingheng Tan and Yuexia Li “Capacitance–voltage characteristic as a trace of the exciton evolvement from spatially direct to indirect in quantum wells” Semicond. Sci. Technol.16, 822 (2001)  

      5. Jidong Zhang, Hao Zhang, Jinghao Chen, Chengyong Hu, Fuhua Yang, Guohua Li and Houzhi Zheng “Tuning of exciton-photon coupling in a planar semiconductor microcavity by applying hydrostatic pressure”J. Phys.: Condens. Matter 14 (2002)5349-5353 

      6. Shiqiu Zhu, E. I. Rau and Fuhua Yang, “A novel method of determining semiconductor parameters in EBIC and SEBIV modes of SEM”, Semiconduct. Sci. Technol. 18(2003) 361-366 

      7. C.Y.Hu, H.Z.Zheng, J. D. Zhang, H. Zhang, F. H. Yang “Mode splitting in photoluminescence spectra of a quantum-dot-embedded microcavity”, Applied Physics Letters, 82, 665(2003)