左玉华

  • 王燕芳
  • 发布于 2018-10-19
  • 1933

       左玉华,女,博士,研究员,博士生导师。   

  1997年、2000年分别获得清华大学材料科学与工程系学士及硕士学位,2003年获中国科学院半导体所微电子学与固体电子学博士学位。同年9月进入中国科学院半导体所集成光电子学国家重点实验室工作。在Si基光电子器件方面,实现了宽频域调谐的MEMS可调谐滤波器和多台阶F-P腔型热光可调谐平顶滤波器,并初步用于新型非致冷红外探测器;研制成功具有高速、高线性和高响应的消逝场耦合的水平波导光电探测器以及Si基键合型高速、高饱和输出的共振腔增强型光电探测器;在Si基新材料研究方面,研制了Si1-xGex/Si/Si1-yGey非对称超晶格材料及器件,利用其非对称界面获得硅基材料线性电光系数的人工介观改性;探索了硅基量子点太阳电池材料以及硅基中间带太阳电池材料。发表SCI和EI收录论文60余篇,获得授权专利6项。目前作为课题负责人承担多项国家任务。  

  目前研究领域: 新型硅基低维纳米结构材料与器件,包括新型硅基光电探测器。  

       讲授课程:材料制备与加工