赵建华

  • 赵建华
  • 个人简介:

    1985 年、1988 年吉林大学物理系理学学士、硕士学位,1999 年中科院物理所理学博士学位。1988-1996年燕山大学工作。1999-2000年中科院半导体所博士后,2000-2002日本东北大学电气通信研究所Hideo Ohno 教授实验室博士后。2002 年9月至今中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室研究员。 

    现任或曾任国家重大科学研究计划项目首席科学家;国家自然科学基金重点项目、重大国际合作项目、设备专项基金、中科院知识创新工程项目、科技部重大科学研究计划项目课题负责人;英国物理学会国际期刊《Semiconductor Science and Technology》和国内期刊《物理学进展》编委;多种国内外核心期刊审稿人;中国物理学会磁学专业委员会委员、低温物理专业委员会委员、中科院半导体所学术委员会委员;ICM2015、INTERMAG2015、2011MMM 等10 余个国际会议组委会委员。  

    曾从事高温超导、金属多层膜、微重力和半导体量子微腔等方向的研究。2000 年至今从事半导体自旋电子学研究,带领其团队取得了多项重要的前沿性成果,部分成果进入国际先进行列。例如,将典型的磁性半导体(Ga,Mn)As 居里温度提高到200K,创下国际最高纪录;利用Co2FeAl与(Ga,Mn)As双层膜界面处磁近邻效应,将界面处(Ga,Mn)As层中厚度约2nm薄层中的Mn离子铁磁有序保持到室温以上;在GaAs上制备出了高质量具有超大垂直磁各向异性L10相Mn1.5Ga单晶薄膜,该类不含贵金属和稀土的薄膜在制备高热稳定性、抗电磁干扰的半导体自旋电子器件方面具有较大潜力;国际上率先在Si上生长出全闪锌矿结构GaAs/(Ga,Mn)As核-壳同轴纳米线和超细纯相InAs纳米线等。在Phys. Rev. Lett.、Nano Lett.、Adv. Mater.等期刊上发表论文150多篇,邀请综述5 篇。SCI引用900余次。国际会议上做邀请报告30 余次。获2000 年度国家技术发明奖二等奖、2014年中科院优秀研究生指导教师奖。培养的研究生获国家奖学金、中科院院长奖学金优秀奖和中科院优秀博士学位论文等奖项。 

    研究领域:

    半导体自旋电子学、低维半导体纳米结构